STMicroelectronics Diodes Schottky SiC

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Qualification
Conditionnement
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Fiche technique
593En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Diodes Schottky SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Fiche technique
1 19402/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube