STMicroelectronics MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 48En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 62 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 93 nC - 55 C + 150 C 358 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 710 V 58 A 37 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube