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STW65N023M9-4

Name: STMicroelectronics STW65N023M9-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW65N023M9-4
Price: 14.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STW65N023M9-4

N° de fab. :

STW65N023M9-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Fiche technique:

STW65N023M9-4 Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,65 €	14,65 €
	9,33 €	93,30 €
	9,32 €	1 118,40 €
	8,48 €	8 649,60 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	95 A
Rds On - Résistance drain-source:	23 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	230 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	463 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Type de produit:	MOSFETs
Série:	MDmesh M9
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	6,080 g

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Fiche technique

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PCN

SPICE Models

STW65N023M9-4 (Compresser)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance M9 MDmesh™

Les MOSFET de puissance MDmesh™ M9 STMicroelectronics intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille. Ces MOSFET de puissance offrent une robustesse dv/dt élevée de diode inverse et de MOSFET, une haute densité de puissance et de faibles pertes par conduction. Les MOSFET de puissance MDmesh M9 offrent également une vitesse de commutation élevée, un haut rendement et de faibles pertes de puissance de commutation. Ces MOSFET de puissance sont conçus avec une technologie innovante de super-jonction à haute tension qui fournit un facteur de mérite (FoM) impressionnant. Le FoM élevé permet des niveaux de puissance et une densité plus élevés pour des solutions plus compactes. Les applications typiques comprennent les serveurs, les centres de données télécoms, les stations d'alimentation 5G, les microonduleurs et les chargeurs rapides.