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STW75N65DM6-4

Name: STMicroelectronics STW75N65DM6-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW75N65DM6-4
Price: 11.7 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STW75N65DM6-4

N° de fab. :

STW75N65DM6-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

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Fiche technique:

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,70 €	11,70 €
	8,65 €	86,50 €
	7,63 €	915,60 €
	7,50 €	3 825,00 €
	7,03 €	7 170,60 €
5 010	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	75 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.75 V
Qg - Charge de grille:	118 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	480 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	130 ns
Délai d'activation standard:	40 ns
Poids de l''unité:	6,080 g

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Fiche technique

STW75N65DM6-4 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.