STMicroelectronics Modules IGBT

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Fiche technique
219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.7 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 2.15 V 3 A 12 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 360
Mult. : 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics Modules IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 360
Mult. : 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube