Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

TPHR6503PL1,LQ

Name: Toshiba TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPHR6503PL1LQ
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

757-TPHR6503PL1LQ

N° de fab. :

TPHR6503PL1,LQ

Fab. :

Toshiba

Description :

MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)

Fiche technique:

TPHR6503PL1,LQ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Toshiba TPHR6503PL1,LQ

En stock: 23 074

Stock:: 23 074 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,52 €	2,52 €
	1,63 €	16,30 €
	1,20 €	120,00 €
	1,01 €	505,00 €
	0,86 €	860,00 €
	0,82 €	2 050,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,82 €	4 100,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Toshiba
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	420 A
Rds On - Résistance drain-source:	410 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V
Qg - Charge de grille:	110 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	210 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Toshiba
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Série:	UMOS IX-H
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	36 ns
Raccourcis pour l'article N°:	TPHR6503PL1,LQ(M

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

TPHR6503PL1,LQ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles

Les MOSFET de puissance U-MOSIX-H automobiles de Toshiba sont des MOSFET de puissance à canal N 40 V idéaux pour les applications automobiles. Ces composants sont logés dans un petit boîtier SOP Advance (WF) à faible résistance. Ils disposent d'une faible résistance à l'état passant, ce qui peut réduire la perte de conduction. La série U-MOSIX-H réduit également le bruit de commutation par rapport à la série précédente de Toshiba Electronic Devices et Storage Corporation (U-MOSIV).’