EEPROM de bus I²C 125 °C pour l’automobile à 2 fils

Les EEPROM de bus I2C 125 °C de ROHM Semiconductor sont conçues pour l'automobile à 2 fils et sont homologuées AEC-Q100. Les EEPROM de bus I2C ROHM disposent de deux ports d'horloge série (SCL) et de données série (SDA) par lesquels toutes les commandes sont disponibles. Les EEPROM fonctionnent à partir d’une large limite de 1,7 V à 5,5 V, avec un fonctionnement 1 MHz possible.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 17.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
Fiche technique
3 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5 mOhms 20 V 2.5 V 19.1 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
Fiche technique
772En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.3 mOhms 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape