Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

Les diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium (SiC) de Vishay semiconducteurs sont des redresseurs avancés haute performance conçus pour offrir une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Conçues à partir de la technologie SiC à large bande interdite, ces diodes Vishay offrent une charge de récupération inverse pratiquement nulle, une capacité de commutation extrêmement rapide et une performance qui ne varie pas en fonction de la température., ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les systèmes de conversion de puissance haute fréquence de nouvelle génération.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00019/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00019/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
50016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
50016/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
78014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
490En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07L-M3