Modules IGBT

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
Fiche technique
18En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 300 A chopper IGBT module
Fiche technique
1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Single 1.7 kV 1.95 V 300 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 400 A chopper IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 300 A single switch IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

Tray