Modules IGBT

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module
Fiche technique
25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
18En stock
2006/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
2028/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Non
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray