A3T09S100NR1

NXP Semiconductors
771-A3T09S100NR1
A3T09S100NR1

Fab. :

Description :
JFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 136 to 941 MHz, 32 V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Délai usine :
10 Semaines Délai de production estimé en usine.
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NXP
Catégorie du produit: JFET
RoHS:  
A3T09S100
Reel
Marque: NXP Semiconductors
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: JFETs
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: 935419977528
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

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