Vishay IRFBF Série MOSFET

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
9 533En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
2 805En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
Fiche technique
1 478En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
Fiche technique
337En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
Fiche technique
848En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
Fiche technique
285En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
374En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 800
Mult. : 800

Si
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si Tube
Vishay / BC Components MOSFET TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si Reel, Cut Tape