GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

Fab. :

Description :
FET GaN GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Nexperia
Catégorie du produit: FET GaN
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
Marque: Nexperia
Configuration: Single
Temps de descente: 10 ns
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 10 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Raccourcis pour l'article N°: 934661752127
Poids de l''unité: 123 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Application Notes

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FET GaN pour les applications industrielles

Les FET GaN de Nexperia pour les applications industrielles offrent une utilisation efficace de l’énergie et des rendements dans la conversion et le contrôle de puissance.  Pour certaines applications, le rendement de conversion d'alimentation et la densité d'alimentation sont essentiels pour l'adoption sur le marché. Les premiers exemples incluent les secteurs des communications à haute tension et des infrastructures industrielles. Les FET GaN permettent des systèmes plus petits, plus rapides, plus frais et plus légers, avec des coûts globaux du système plus faibles.

FET au nitrure de gallium (GaN) GAN041-650WSB

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En stock: 203

Stock:
203 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
4 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
10,29 € 10,29 €
9,04 € 90,40 €
6,45 € 645,00 €
6,42 € 3 210,00 €
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