GaN Semi-conducteurs

Résultats: 737
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
Texas Instruments Commandes de grilles 80V GaN Half Bridge Power Stage A 595-LM A 595-LMG5200MOFR
Fiche technique
40204/03/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 250

EPC FET GaN eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Fiche technique
12 09909/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Fiche technique
2 50023/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Fiche technique
23 892Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
Fiche technique
1 13015/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

EPC FET GaN EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
Fiche technique
2 50020/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

EPC FET GaN EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
Fiche technique
45720/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 500

Qorvo Amplificateur RF 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS
Fiche technique
2031/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Qorvo CI commutateurs RF 50W 0.15-2.8GHz GaN SPDT
Fiche technique
10023/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

Qorvo FET GaN DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Fiche technique
132Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 100

Qorvo FET GaN DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Fiche technique
1929/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Qorvo FET GaN DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Fiche technique
57Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

onsemi Commandes de grilles SINGLE CHANNEL INTEGRATED
Fiche technique
2 97513/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300
: 3 000

onsemi FET GaN GaN FET, 700V, 132m, 8x8
Fiche technique
2 50021/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 25
: 250

onsemi FET GaN GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool
Fiche technique
2 50025/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

onsemi FET GaN GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool
Fiche technique
2 50025/06/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

MACOM FET GaN 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
Fiche technique
11717/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

MACOM Amplificateur RF MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH
Fiche technique
2509/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 25

STMicroelectronics Commandes de grilles High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power
Fiche technique
62En stock
Min. : 1
Mult. : 1

STMicroelectronics FET GaN 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Fiche technique
50018/08/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

STMicroelectronics Commandes de grilles High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
Fiche technique
700Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
: 3 000

STMicroelectronics Commandes de grilles High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
Fiche technique
700Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 50
: 3 000

Fairview Microwave Amplificateur RF 30 MHz to 2.7 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, High Power, 8W Psat, 36dB Tx Gain, 1 microsec speed, Manual T/R Control
Fiche technique
1Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1
Fairview Microwave Amplificateur RF 5.125 GHz to 5.875 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 43dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Autosensing
Fiche technique
2Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1
Fairview Microwave Amplificateur RF 4.4 GHz to 4.9 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 15W Psat, 45dB Tx Gain, 35% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control
Fiche technique
1Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1