EPCOS / TDK Diodes de suppresseur de tension transitoire à ligne mince

Les diodes de suppresseur de tension transitoire (TVS) à ligne mince de TDK fournissent une protection bidirectionnelle contre les décharges électrostatiques (DES) pour une ligne E/S. Ces composants disposent d’une faible tension de calage, d’un faible courant de fuite et d’un temps de réponse rapide. La capacité ultra-faible permet une excellente intégrité du signal pour les interfaces haut débit exigeantes, telles que USB 3.1, HDMI, Displayport et Thunderbolt. Les diodes TSV à ligne mince de TDK sont disponibles en variantes à usage général et à blocage ultra-faible avec des boîtiers CMS et une large plage de température ambiante de -40 °C à +125 °C. Ces diodes TVS sont idéales pour les smartphones, les écouteurs true wireless, les montres connectées et de nombreuses autres applications portables avec des exigences d’espace restreint.

Caractéristiques

B74121G0050M060 (à usage général)
- Boîtier WL-CSP0201
- Dimensions : 0,6 mm x 0,3 mm x 0,15 mm
- Tension de fonctionnement inverse maximale de +5 V (V_RWM)
- Tension de claquage de 6 V à 8 V (V_BR)
- Courant de fuite inverse standard de 2 nA (I_LEAK)
- Tension de calage de 7,2 V à I_TLP = 8 A (V_C1)
- Tension de calage de 8,0 V à I_TLP = 16 A (V_C2)
- Courant TLP maximal de 45 A (I_TLP)
- DES maximale de 15 kV à 10 impulsions (V_ESD)
- Résistance dynamique de 0,10 Ω
- Capacité de jonction de 12 pF à 1 MHz (C_J)
- Courant de puissance de crête de 8 A (I_PP)
B74121G1160M160 (à usage général)
- Boîtier WL-CSP0201
- Dimensions : 0,58 mm x 0,28 mm x 0,15 mm
- Protection DES élevée jusqu’à 15 kV conformément à la norme CEI 61000-4-2
- Tension de fonctionnement inverse maximale de 16 V (V_RWM)
- Tension de claquage de 17,5 V à 21 V (V_BR)
- Courant de fuite très faible : courant de fuite inverse standard < 1 nA (I_LEAK)
- Tension de calage de 22,8 V à I_TLP = 8 A (V_C1)
- Tension de calage de 25,4 V à I_TLP = 16 A (V_C2)
- Résistance dynamique de 0,30 Ω
- Faible capacité de 5,5 pF (standard) à 1 MHz, 16 V
B74111G0050M060 (à usage général)
- Boîtier WL-CSP01005
- Dimensions : 0,4 mm x 0,2 mm x 0,10 mm
- Tension de fonctionnement inverse maximale de +5 V (V_RWM)
- Tension de claquage de 6 V à 8 V (V_BR)
- Courant de fuite inverse standard de 2 nA (I_LEAK)
- Tension de calage de 7,6 V à I_TLP = 8 A (V_C1)
- Tension de calage de 8,9 V à I_TLP = 16 A (V_C2)
- Courant TLP maximal de 25 A (I_TLP)
- DES maximale de 15 kV à 10 impulsions (V_ESD)
- Résistance dynamique de 0,17 Ω
- Capacité de jonction de 12 pF à 1 MHz (C_J)
- Courant de puissance de crête de 4 A (I_PP)

B74111U0033M060 (blocage ultra-faible)
- Boîtier WL-CSP01005
- Dimensions : 0,4 mm x 0,2 mm x 0,10 mm
- Tension de fonctionnement inverse maximale de +3,3 V (V_RWM)
- Tension de claquage standard de 6,3 V (V_BR)
- Courant de fuite inverse standard de 1 nA (I_LEAK)
- Tension de calage de 3,8 V à I_TLP = 8 A (V_C1)
- Tension de calage de 5,0 V à I_TLP = 16 A (V_C2)
- DES maximale de 15 kV à 10 impulsions (V_ESD)
- Résistance dynamique de 0,15 Ω
- Capacité de jonction de 0,48 pF à 1 MHz (C_J)
- Courant de puissance de crête de 7 A (I_PP)
B74121U0033M060 (blocage ultra-faible)
- Boîtier WL-CSP0201
- Dimensions : 0,6 mm x 0,3 mm x 0,15 mm
- Tension de fonctionnement inverse maximale de +3,3 V (V_RWM)
- Tension de claquage standard de 6,3 V (V_BR)
- Courant de fuite inverse standard de 1nA (I_LEAK)
- Tension de calage de 3,8 V à I_TLP = 8 A (V_C1)
- Tension de calage de 5,2 V à I_TLP = 16 A (V_C2)
- DES maximale de 15 kV à 10 impulsions (V_ESD)
- Résistance dynamique de 0,10 Ω
- Capacité de jonction de 0,65 pF à 1 MHz (CJ)
- Courant de puissance de crête de 7 A (I_PP)
B74121G0160M060 (à usage général)
- Tension de fonctionnement jusqu’à 16 V
- Protection ESD conforme à la norme CEI 61000-4-2, VESD, max = 10 kV
- Faible tension de calage : V_{clamp, standard} = 24 V à ITLP = 8 A
- Très faible courant de fuite : I_{leak standard} = 1 nA à 16 V
- Faible capacité : C_standard = 5 pF à 1 MHz
B74121U0055M060/B74111U0055M060
- Tension CC maximale jusqu’à 5,5 V
- Bus de données USB 2.0 de USB-C™ (D+/D-)
- Faibles tensions de serrage 3,8 V et 4 V avec un ITLP de 8 A
- Tension de décharge DES jusqu'à 15 kV
- Valeur de capacité maximale de 0,48 pF
- Boîtiers compacts WLCSP 01005 et WLCSP 0201
- Hauteurs extrêmement plates de 100 µm ou 150 µm