Retour à onsemi

onsemi MOSFET à canal P moyenne tension Fairchild

Les MOSFET à canal P moyenne tension de Fairchild sont des MOSFET à canal P 100 V et 150 V offrant les meilleures RDS-ON et Qg de leur catégorie sur le secteur. Chacun de ces composants est produit à partir de la technologie de pointe PowerTrench® de Fairchild. Ce procédé à très haute densité est spécialement adapté pour minimiser la résistance en état de marche et optimisé pour des performances supérieures de commutation. Les applications classiques incluent la commutation côté haut de pilotes de moteur et l'éclairage, le limiteur actif en CC-CC et la commutation de charge.

Caractéristiques

  • Low profile - 0.8mm maximum in the new MicroFET 2mm x 2mm
  • Low RDS-ON mid voltage P-Channel silicon technology optimized for low Qg
  • This product is optimised for fast switching applications as well as load switch applications
  • 100% UIL tested
  • RoHS compliant

Applications

  • Active clamp switch
  • Load switch

Vidéos

View Results ( 6 ) Page
Numéro de pièce Fiche technique Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Temps de descente
FDMC86139P FDMC86139P Fiche technique 100 V 4.4 A 67 mOhms 4 ns
FDMA86265P FDMA86265P Fiche technique 150 V 1 A 860 mOhms 6.4 ns
FDMC2523P FDMC2523P Fiche technique 150 V 3 A 1.5 Ohms 13 ns
FDMC86261P FDMC86261P Fiche technique 150 V 2.7 A 269 mOhms 20 ns
FDMS86263P FDMS86263P Fiche technique 150 V 22 A 42 mOhms 14 ns
FDMS86163P FDMS86163P Fiche technique 100 V 50 A 22 mOhms 6.9 ns
Publié le: 2014-11-18 | Mis à jour le: 2024-02-01