 |
MOSFET de puissance Fairchild
|
Le portefeuille de MOSFET de puissance de Fairchild est l'un des plus larges du secteur avec des performances exceptionnelles de faible niveau de résistance en marche et de charge de grille. Les produits sont proposés en version basse tension (<250 v) et="" haute="" tension="" (="">200 V) dans une large variété de valeurs RDS(on), tensions, courants de drain et boîtiers de pointe associés aux technologies les plus modernes.
Ressources supplémentaires : Les bases des MOSFET |
PowerTrench®
|
Fairchild propose le plus large éventail de MOSFET PowerTrench® du secteur. Choisissez parmi de multiples technologies le bon MOSFET pour votre application. Fairchild propose des versions à canal N et P de ses MOSFET grâce à son procédé PowerTrench® de pointe, optimisé pour une solidité et des performances de commutation à faible RDS(on). Ces MOSFET PowerTrench® sont proposés avec différents paramètres pour respecter les besoins de la plupart des applications, comme les commutateurs de charge, la commutation primaire, le traitement mobile, les convertisseurs CC-CC, les redresseurs synchrones et beaucoup d'autres. Ressources supplémentaires : |
 |
Caractéristiques
|
Applications
|
Facteur de mérite normalisé (FOM) [RDS(on)*Qg] |
Charge de grille (Qg) [nC] |
Charge de récupération inverse (Qrr) et Vds(crête) |
Rendement supérieur avec le tout dernier MOSFET PowerTrench®  |
QFET®
|
Les MOS de technologie planaire QFET Fairchild offrent une faible charge de grille, une faible résistance en marche (RDS(on)) faible Crss, meilleur rapport di/dt de leur catégorie, commutation rapide et faible condensateur de sortie (Coss). |
 |
SuperFET™
| Les MOSFET de puissance SuperFET® de Fairchild sont une nouvelle génération propriétaire de MOSFET à haute tension qui utilisent un mécanisme de répartition de la charge de pointe pour des performances exceptionnelles de faible résistance en marche et moindre charge de grille. Cette technologie de pointe est adaptée pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et soutenir des taux dv/dt extrêmes et une énergie supérieure en avalanche. Ces MOSFET SuperFET® conviennent à la conversion d'alimentation CA/CC en régime de commutation pour miniaturiser les systèmes et augmenter le rendement. Ressources supplémentaires : MOSFET de puissance SuperFET® II |
 |
SuperFET™ FRFET
|
Les MOSFET de puissance SuperFET FRFET Fairchild offrent de faibles trr et Qrr, ce qui donne une haute fréquence de fonctionnement (>250 kHz). Leurs caractéristiques incluent aussi une immunité accrue de récupération de diode dv/dt, d'arrêt dv/dt et EMI améliorée (récupération progressive). Les boîtiers offrent des avantages comme une taille supérieure, une faible hauteur de boîtier et des performances thermiques et électriques excellentes. |
|
SupreMOS™
|
Les MOSFET de puissance SupreMOS™ de Fairchild sont la toute dernière génération de MOSFET à haute tension et super-jonction qui utilisent un procédé de remplissage de tranchée profonde les différenciant des technologies précédentes, basées sur du multicouche. En utilisant cette technologie de pointe et un contrôle précis, les SupreMOS fournissent une RDS(on), de classe mondiale, des performances de commutation et une solidité supérieures. |
 |
Caractéristiques
|
 |
SupreMOS® par rapport à d'autres solutions |
Rendement supérieur avec SupreMOS® |
SyncFET™
|
Les MOSFET PowerTrench® SyncFET™ à canal N de Fairchild sont conçus pour minimiser les pertes dans les applications de conversion de puissance et minimiser la résistance en état passant. Les MOSFET PowerTrench® SyncFET™ à canal N utilisent une technologie silicium pour améliorer énormément les performances et réduire le coût total du système. Avec un diode Schottky intégrée, les MOSFET PowerTrench® SyncFET™ à canal N Fairchild offrent des performances similaires (traitement de haute puissance et haute intensité) à un MOSFET et redresseur Schottky séparés dans un boîtier. Cette intégration réduit l'encombrement jusqu'à 50 % et fournit des réductions en termes de coûts et de production (ou sur la durée). Les applications peuvent inclure les notebooks, les serveurs, les télécoms, les convertisseurs Buck CC-CC, les alimentations à commutation CC-CC de haut rendement et les redresseurs synchrones pour convertisseurs CC-CC. Ressources supplémentaires : MOSFET SyncFET™ PowerTrench® à canal N |
 |
UniFET™
|
Les MOSFET UniFET™ Fairchild Semiconductor sont des transistors à effet de champ à puissance améliorée qui sont fabriqués à partir de la technologie DMOS, à bande planaire, propriétaire de Fairchild. La technologie de pointe des MOSFET UniFET™ de Fairchild Semiconductor a été conçue pour minimiser la résistance à l'état passant, fournir des performances de commutation supérieures et supporter des impulsions de haute énergie en mode commutation et avalanche. Ces MOSFET Fairchild sont bien adaptés aux alimentations de mode commutation à haut rendement et une correction active du facteur de puissance. Ressources supplémentaires : |
|
