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IRLR2908PBF

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N° Mouser :

942-IRLR2908PBF

N° de fab. :

IRLR2908PBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRLR2908PBF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Notification d'expédition :

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	120 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	55 ns
Transconductance directe - min.:	35 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	95 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SP001567410
Poids de l''unité:	330 mg