MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

Les MOSFET SiC à canal N NSF0x0120 de Nexperia offrent une stabilité de température RDS(on) supérieure dans un boîtier TO-263 à 7 broches ou dans un boîtier plastique QDPAK à 22 broches pour la technologie PCB de montage en surface. Le NSF0x0120 est basé sur un MOSFET de puissance de 1 200 V avec une vitesse de commutation rapide. Ces caractéristiques combinées rendent les MOSFET NSF0x0120 Nexperia parfaits pour les applications industrielles à haute puissance et haute tension, y compris les infrastructures de recharge pour véhicules électriques, les convertisseurs CC-CC, les onduleurs photovoltaïques, les moteurs auxiliaires et les entraînements à moteur.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal
Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 477En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK 785En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L 599En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 67 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L 731En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK 730En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 122 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 190 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 660En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- 795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L 795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK 750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 60 mOhms 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120T2A0/SOT8107/X.PAK 800En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 90 mOhms 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 429En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3 440En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L 435En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L 795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L 450En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L 790En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
30026/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 108 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF017120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
15022/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
30026/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 50 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 78 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
30026/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 152 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
15019/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF040120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
15022/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF060120T1A0-Q/SOT8114/QDPAK
15022/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF080120T1A1/SOT8114/QDPAK
15017/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

Nexperia SiC MOSFET NSF080120T1A1-Q/SOT8114/QDPAK
15017/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800