NVBG160N120SC1

onsemi
863-NVBG160N120SC1
NVBG160N120SC1

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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onsemi
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19.5 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
33.8 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 7.4 ns
Transconductance directe - min.: 5.5 S
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 11 ns
Série: NVBG160N120SC1
Nombre de pièces de l'usine: 800
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 15 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

MOSFET EliteSiC (carbure de silicium) 1 200 V

Les MOSFET 1 200 V EliteSiC (carbure de silicium)  onsemi offrent des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles du silicium. Ces MOSFET présentent une faible résistance à l'état passant qui garantit une capacité et une charge de grille faibles. Les MOSFET EliteSiC 1 200 V offrent des avantages au système et comprennent une haute efficacité, une fréquence d'exploitation rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite. Ces MOSFET disposent d'une tension de blocage, d'une commutation à haute vitesse, d'une faible capacité et fonctionnent sur une plage de température de -55°C à 175°C. Les MOSFET SiC 1 200 V sont homologués AEC-Q101 pour l'automobile et sont conformes à la directive RoHS. Ces MOSFET sont adaptés aux onduleurs élévateurs, stations de chargement, onduleurs CC-CC, convertisseurs CC-CC, chargeurs embarqués (OBC), contrôles de moteur, alimentations industrielles et alimentations de serveurs.

MOSFET EliteSiC M1

Les MOSFET EliteSiC M1  d'onsemi disposent  d'une tension nominale de 1 200 V et 1 700 V. Les MOSFET M1  d'onsemi sont conçus pour répondre aux besoins des applications à haute puissance qui exigent fiabilité et efficacité. Les MOSFET EliteSiC M1 sont disponibles en diverses options de boîtier, notamment D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD et pastille nue.

MOSFET NVBG160N120SC1 160 mΩ au SiC

Le MOSFET au SiC NVBG160N120SC1 160 mΩ onsemi offre des performances supérieures de commutation et une fiabilité supérieure à celle du silicium. Ce MOSFET présente une tension drain-source (VDSS) de 1 200 V et un courant de drain maximum de 19,5 A (ID) Le MOSFET NVBG160N120SC1 dispose d'une faible résistance à l'état passant et d'une taille de puce compacte qui garantit une faible capacité et une faible charge de grille. Ce MOSFET offre haute efficacité, une fréquence opérationnelle supérieure, une densité accrue de puissance, des interférences électromagnétiques (EMI) réduites et des dimensions moindres. Le MOSFET NVBG160N120SC1 onsemi est qualifié pour des applications automobiles comme des chargeurs embarqués automobiles et des convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques (EV)/ vehicles hybrides (HEVs), selon les normes AEC-Q101.

En stock: 408

Stock:
408
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
800
22/09/2026 attendu
Délai usine :
30
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1   Maximum : 280
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
11,20 € 11,20 €
7,79 € 77,90 €
6,27 € 627,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
6,27 € 5 016,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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