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SIR870DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR870DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIR870DP-T1-GE3
Price: 2.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

781-SIR870DP-T1-GE3

N° de fab. :

SIR870DP-T1-GE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

Fiche technique:

SIR870DP-T1-GE3 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	60 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	84 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	104 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET, PowerPAK
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	80 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	SIR
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SIR870DP-GE3
Poids de l''unité:	506,600 mg

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Fiche technique

SIR870DP-T1-GE3 Fiche technique

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Chine

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance ThunderFET®

Les MOSFET de puissance Vishay Siliconix ThunderFET® offrent les valeurs les plus basses de résistances sous tension de l'industrie pour des MOSFET de 100 V avec une valeur de 4,5 V. En plus de la résistance sous tension et de la charge de grille, les produits offrent la meilleure valeur clé de mérite (FOM) pour les MOSFET des convertisseurs CC-CC dans leur catégorie. Pour les concepteurs, la résistance sous tension plus faible donne des pertes de conduction inférieures et une consommation d'énergie réduite pour des solutions vertes économes en énergie. Ces dispositifs sont optimisés pour la commutation côté primaire et le redressement synchrone côté secondaire des conceptions d'alimentations CC/CC isolées pour les applications des convertisseurs briques et bus de télécommunication. La valeur 4,5 V de la résistance sous tension des MOSFET permet d'envisager une grande variété de CI MLI et de commande de grille.
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Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

SiR870DP 100V N-Channel TrenchFET® Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiR870DP 100V N-channel TrenchFET^® Power MOSFET utilizes ThunderFET technology to provide a low on-resistance of 7.8mΩ at 4.5V. Additionally, the SiR870DP also offers a very low on-resistance of 6mΩ at 10V. These Vishay / Siliconix ThunderFET devices also provide a low 208 mΩ-nC figure of merit (FOM) at 4.5V. This low on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. SiR870DP 100V TrenchFET Power MOSFETs are designed for higher frequency and switching applications.

PRODUITS PRÉSENTÉS

VISHAY

MOSFET à canal N SiJK5100E

MOSFET de puissance TrenchFET^® Gén V avec une tension drain-source de 100 V et une puissance dissipable admissible de 536 W.

MOSFET à canal N TrenchFET® Gen IV 80 V SiEH4800EW

Se présente dans un boîtier BWL de 8 mm x 8 mm PowerPAK^®avec une résistance à l'état passant de 0,00115 Ω.

MOSFET à canal N 40 V (D-S) SiJK140E

Dispose d’une technologie d’alimentation TrenchFET^® Gén V idéale pour le redressement synchrone et l’automatisation.

MOSFET à super-jonction en PowerPAK® 10 x 12

Dotés d'une technologie de puissance, ils optimisent l'efficacité et minimisent les pertes de puissance pendant la conduction.

MOSFET 150 V (D-S) à canal N SiRS5700DP

MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V doté d'un facteur de performance (FOM) R_{DS x}Q_g très faible.

En stock: 124

Stock:: 124

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Sur commande:: 9 000

14/01/2028 attendu

27 000

À déterminer
Délai usine :: 54

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

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Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,99 €	2,99 €
	1,95 €	19,50 €
	1,36 €	136,00 €
	1,13 €	565,00 €
	1,08 €	1 080,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,01 €	3 030,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

SIR870DP-T1-GE3

Fab. : Vishay Semiconductors

Description : MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

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MOSFET de puissance ThunderFET®

Industrial Power Solutions

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Vishay Semiconductors

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