SCT4018KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4018KW7TL
SCT4018KW7TL

Fab. :

Description :
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

Fiche technique:
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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
75 A
23.4 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 11 ns
Transconductance directe - min.: 22 S
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: MOSFET's
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 21 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 50 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
Raccourcis pour l'article N°: SCT4018KW7
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Specification Sheets

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7

Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7 de ROHM Semiconductor offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Le SCT4018KW7 est facile à piloter et à installer en parallèle.  Le composant dispose également d’un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS.Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4018KW7 de    ROHM Semiconductor est adapté aux onduleurs solaires, au chauffage par induction, aux alimentations en mode commutation, aux convertisseurs CC-CC et aux entraînements de moteurs.

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

En stock: 1 145

Stock:
1 145 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
27 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 1145 seront soumises à des commandes minimales.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
26,89 € 26,89 €
20,06 € 200,60 €
19,62 € 1 962,00 €
18,89 € 9 445,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
16,95 € 16 950,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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