FET GaN – Mouser France

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial	Technologie
FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: 1,87 € 1 475En stock	Fab. Numéro de référence TP65H480G4JSG-TR Référence Mouser 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	1 475En stock	Bande coupée 1,87 € 0,903 € 0,774 € 0,638 € Bobine 0,506 € Afficher 0,636 € 0,603 € 0,481 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 4 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: 9,16 € 1 794En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H030G4PRS-TR Référence Mouser 227-TP65H030G4PRS-TR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Fiche technique	1 794En stock	Bande coupée 9,16 € 5,08 € 4,82 € Bobine 4,20 € 4,10 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: 9,56 € 1 080En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H030G4PWS Référence Mouser 227-TP65H030G4PWS Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Fiche technique	1 080En stock	9,56 € 5,32 € 4,93 € 4,28 € 4,21 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: 9,11 € 229En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H030G4PQS-TR Référence Mouser 227-TP65H030G4PQS-TR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Fiche technique	229En stock	Bande coupée 9,11 € 6,06 € 5,37 € 4,71 € 4,21 € Bobine 4,06 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: 8,99 € 529En stock	Fab. Numéro de référence TP65H050G4YS Référence Mouser 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet	Fiche technique	529En stock	8,99 € 5,31 € 4,51 € 3,99 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: 7,32 € 2 607En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSG-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	2 607En stock	Bande coupée 7,32 € 3,97 € 3,66 € 3,59 € 3,29 € Bobine 3,04 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: 7,07 € 815En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4PS Référence Mouser 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220 En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet	Fiche technique	815En stock	Bande coupée 7,07 € 3,93 € 3,60 € 3,04 € Bobine 3,04 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: 7,34 € 1 618En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4RS-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet	Fiche technique	1 618En stock	Bande coupée 7,34 € 3,98 € 3,66 € 3,59 € Bobine 3,06 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: 5,69 € 716En stock Nouveau chez Mouser	Fab. Numéro de référence TP65H100G4PS Référence Mouser 227-TP65H100G4PS Nouveau chez Mouser	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220	Fiche technique	716En stock	Bande coupée 5,69 € 3,02 € 2,76 € 2,31 € Bobine 2,30 € Afficher 2,27 € 2,18 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: 1,87 € 3 744En stock	Fab. Numéro de référence TP65H480G4JSGB-TR Référence Mouser 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	3 744En stock	Bande coupée 1,87 € 0,903 € 0,808 € 0,642 € Bobine 0,506 € Afficher 0,617 € 0,595 € 0,481 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 4 000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: 7,19 € 2 446En stock	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet	Fiche technique	2 446En stock	Bande coupée 7,19 € 4,88 € 3,59 € 3,50 € 3,21 € Bobine 2,98 €	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: 4,65 € 1 755En stock	Fab. Numéro de référence TP65H150G4PS Référence Mouser 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220 En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	1 755En stock	4,65 € 2,52 € 2,24 € 1,87 € Afficher 1,83 € 1,73 €	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: 6,86 € 1 15209/10/2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65B110HRU-TR Référence Mouser 227-TP65B110HRU-TR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT En savoir plus sur Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch	Fiche technique	1 15209/10/2026 attendu	Bande coupée 6,86 € 4,83 € 3,91 € 3,47 € 2,87 € Bobine 2,80 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 500															SuperGaN
FET GaN 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP TP70H135G4PJSGB-TR Renesas Electronics 5 000: 1,01 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP70H135G4PJSGB-TR Référence Mouser 227-P70H135G4PJSGBTR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 1,01 €	Min. : 5 000 Mult. : 5 000 : 5 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.8 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP TP70H135G4PLSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1,07 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP70H135G4PLSGB-TR Référence Mouser 227-P70H135G4PLSGBTR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 1,07 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	14.6 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1 200: 4,66 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H035G4YS Référence Mouser 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	4,66 € Devis Devis	Min. : 1 200 Mult. : 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 3,78 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H050G4QS-TR Référence Mouser 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 3,78 €	Min. : 2 000 Mult. : 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 3 000: 2,76 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSGBEA-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSGBEA Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 2,76 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 3 000: 2,73 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP65H070G4LSGEA-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4LSGEAT Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 2,73 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2 000: 2,68 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H070G4QS-TR Référence Mouser 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 2,68 €	Min. : 2 000 Mult. : 2 000 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1,86 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Fab. Numéro de référence TP65H100G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 1,86 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP TP70H130G4PLSG-TR Renesas Electronics 3 000: 1,07 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP70H130G4PLSG-TR Référence Mouser 227-TP70H130G4PLSGTR Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 1,07 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 TP70H130G4PPS Renesas Electronics 1 250: 1,31 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence TP70H130G4PPS Référence Mouser 227-TP70H130G4PPS Nouveau produit	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 130mohm GaN FET in TO-220	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	1,31 € 1,26 € 1,20 €	Min. : 1 250 Mult. : 1 250	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 3 000: 1,15 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Fab. Numéro de référence TP70H150G4LSG-TR Référence Mouser 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 1,15 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN
FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 3 000: 1,12 € Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Fab. Numéro de référence TP70H150G4LSGB-TR Référence Mouser 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN En savoir plus sur Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 18 Semaines	Bobine 1,12 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000					700 V										SuperGaN	GaN

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