NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

Fiche technique:
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onsemi
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 11 ns
Transconductance directe - min.: 12 S
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 14 ns
Série: NTH4L060N065SC1
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 24 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTH4L060N065SC1

Le MOSFET onsemi NTH4L060N065SC1 au carbure de silicium (SiC) présente des performances de commutation et une fiabilité supérieures. Le MOSFET a  une basse résistance à l'état passant (ON) et sa taille compacte de puce garantit de basses capacité et charge de grille. Les avantages du système comprennent donc une efficacité optimale, une fréquence accrue de fonctionnement, une densité accrue de puissance, une réduction des EMI et une réduction de taille de système.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible RDS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) 650 V

Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

En stock: 420

Stock:
420 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
45 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,51 € 8,51 €
5,93 € 59,30 €
5,28 € 633,60 €
5,20 € 2 652,00 €

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