MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M

Les MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M Nexperia sont conçus et qualifiés pour répondre aux exigences AEC-Q101, offrant de hautes performances et une endurance. Ces MOSFET offrent une commutation rapide et efficace avec un amortissement optimal et un faible pic. Les MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M sont encapsulés dans des boîtiers LFPAK56. Le MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N utilise la technologie E-TBO (Oxyde inférieur à tranchée améliorée) et faible ohmique 15, tandis que le BUK7Y3R1-80M utilise la technologie de grille divisée à faible ohmique Trench 14. Ces MOSFET à canal N sont conformes à la directive RoHS européenne et disposent d’une plage de température de jonction maximale de 175°C. Les applications standard incluent les moteurs, l’éclairage et le contrôle des solénoïdes, les systèmes automobiles 12 V et la commutation de puissance ultra-haute performance.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia MOSFET BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
Fiche technique
345En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Nexperia MOSFET BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
Fiche technique
1 49803/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement