MOSFET de puissance pour l'automobile OptiMOS™7

Les MOSFET de puissance pour l'automobile OptiMOS™7 d'Infineon Technologies aident les ingénieurs à concevoir des systèmes d'alimentation automobile à plus haute efficacité et à plus haute densité. Ces dispositifs combinent un silicium MOSFET avancé avec un emballage de puissance sans plomb moderne pour réduire les pertes de conduction et de commutation dans des conceptions compactes. Conçus pour les architectures de véhicules 12 V et 48 V, les MOSFET OptiMOS7 prennent en charge une capacité de courant plus élevée, simplifient la gestion thermique et améliorent les performances globales du système.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
5 281En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Fiche technique
130En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Fiche technique
2 00029/07/2026 attendu
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
2 373En stock
5 00017/09/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
5 880En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
5 289En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 65 A 5.04 mOhms 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
9 992En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4 352En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4 712En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
2 638En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Fiche technique
3 973En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4 768En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
20 00029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
4 823En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
6 527En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Fiche technique
698En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.78 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Fiche technique
1 729En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.4 mOhms 20 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Fiche technique
1 736En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 184 A 1.53 mOhms 20 V 3 V 41 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Fiche technique
1 743En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 147 A 1.95 mOhms 20 V 3 V 30 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Fiche technique
1 736En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.67 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Fiche technique
1 743En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 91 A 3.65 mOhms 20 V 3 V 16 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
937En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
Fiche technique
1 673En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT THSOG-4 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 4.7 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
1 153En stock
5 00027/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor
Fiche technique
878En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.9 mOhms 16 V 1.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape