SCT4013DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DW7TL
SCT4013DW7TL

Fab. :

Description :
SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC

Fiche technique:
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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
98 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marque: ROHM Semiconductor
Conformité: Done
Configuration: Single
Temps de descente: 17 ns
Transconductance directe - min.: 32 S
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Produit: MOSFET's
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 32 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 82 ns
Délai d'activation standard: 17 ns
Raccourcis pour l'article N°: SCT4013DW7
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Fiche technique

Specification Sheets

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Thaïlande
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7

Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7 de ROHM Semiconductor est un MOSFET à faible résistance à l'état passant de 750 V et 13 mΩ conçu pour une commutation rapide. Le SCT4013DW7 offre une récupération inverse rapide, est facile à mettre en parallèle et facile à piloter. Le SCT4013DW7 de ROHM est idéal pour les convertisseurs solaires, le chauffage à induction et les entraînements à moteur.

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [RDS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (ID) et de source (IS) (TC=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

En stock: 240

Stock:
240
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
1 000
Délai usine :
27
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
27,31 € 27,31 €
20,02 € 200,20 €
19,62 € 1 962,00 €
19,61 € 9 805,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
18,32 € 18 320,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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