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RJ1N04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1N04BBHTL1
Price: 3.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RJ1N04BBHTL1

N° de fab. :

RJ1N04BBHTL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

RJ1N04BBHTL1 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	46 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	89 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	38 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	65 ns
Délai d'activation standard:	30 ns

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RJ1N04BBHTL1 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Stock:: 772 Expédition possible immédiatement

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,85 €	3,85 €
	2,54 €	25,40 €
	1,79 €	179,00 €
	1,53 €	765,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	1,53 €	1 224,00 €

RJ1N04BBHTL1

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

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