NVBG070N120M3S

onsemi
863-NVBG070N120M3S
NVBG070N120M3S

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Modèle de ECAO:
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onsemi
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
25 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
172 W
Enhancement
EliteSiC
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 8.8 ns
Transconductance directe - min.: 12 S
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 12 ns
Série: NVBG070N120M3S
Nombre de pièces de l'usine: 800
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 30 ns
Délai d'activation standard: 11 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC M3S

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Délai usine :
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8,50 € 850,00 €
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