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RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 1.83 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

755-RH7G04CBJFRATCB

N° de fab. :

RH7G04CBJFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Cycle de vie:

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Fiche technique:

RH7G04CBJFRATCB Fiche technique

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Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	17.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	33 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	33 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	16 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	115 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	1,18 €	11,80 €
	0,79 €	79,00 €
	0,628 €	314,00 €
	0,575 €	575,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,517 €	1 551,00 €

RH7G04CBJFRATCB

Fab. : ROHM Semiconductor

Description : MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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Other

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