DI006H03SQ

Diotec Semiconductor
637-DI006H03SQ
DI006H03SQ

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Modèle de ECAO:
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Diotec Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.2 A, 6 A
25 mOhms, 50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2 V
11.7 nC, 11.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: Diotec Semiconductor
Configuration: Quad
Temps de descente: 8.7 ns, 13.5 ns
Transconductance directe - min.: 4 S, 3.5 S
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 15 ns, 4.9 ns
Série: DI0XX
Nombre de pièces de l'usine: 4000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 17.5 ns, 28.2 ns
Délai d'activation standard: 11.2 ns, 7.5 ns
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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

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En stock: 3 908

Stock:
3 908 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
10 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,18 € 2,18 €
1,07 € 10,70 €
0,955 € 95,50 €
0,763 € 381,50 €
0,711 € 1 422,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
0,606 € 2 424,00 €
0,568 € 4 544,00 €