NDSH20120C

onsemi
863-NDSH20120C
NDSH20120C

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L

Fiche technique:
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onsemi
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.38 V
119 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
NDSH20120C
Tube
Marque: onsemi
Pd - Dissipation d’énergie : 214 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Nom commercial: EliteSiC
Vr - Tension inverse: 1.2 kV
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Fiche technique

PCN

Codes de conformité
TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Diodes EliteSiC D3

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Diodes au carbure de silicium (SiC) NDSH20120C

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En stock: 154

Stock:
154 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
9,16 € 9,16 €
6,60 € 66,00 €
4,97 € 596,40 €

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