MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC™ M1 650 V

Les MOSFET de puissance à tranchée CoolSiC ™ M1 650 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent la performance, la robustesse et la facilité d'utilisation du dispositif. Les MOSFET CoolSiC M1 s'appuient sur un processus de semiconducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d'application les plus faibles et la fiabilité la plus élevée en fonctionnement. Adaptés aux températures élevées et aux opérations difficiles, ces dispositifs permettent le déploiement simplifié et économique d'un système de la plus haute efficacité. 

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 995En stock
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Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
335En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
643En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 019En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
753En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
861En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 751En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
364En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 467En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
313En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
667En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
465En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
55En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
527En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
473En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
235En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
128En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
1 00024/09/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC