Transistors bipolaires de puissance en boîtier DFN BJT

Les transistors bipolaires de puissance BJT Nexperia en boîtier DFN offrent un faible encombrement qui utilise environ 75 % d'espace de carte en moins et permet une plus grande flexibilité de conception. Ces transistors bipolaires se caractérisent par une inductance et une capacité parasites réduites avec une résistance thermique améliorée et faible, permettant une fiabilité accrue. Les composants BJT sont idéaux pour les applications où l’espace est limité. Les applications incluent les dispositifs mobiles, les wearables, les capteurs automobile et les modules de caméra.