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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance canal N RS4P063BPHZG à large SOA

10/23/2026

- Présente une zone de fonctionnement sécurisée étendue qui aide à supprimer la panne secondaire.

ROHM Semiconductor IGBT à tranchée et arrêt de champ pourl'automobile RGA50TxX2EHR

10/22/2026

- Ces composants présentent de faibles pertes de commutation et de faibles pertes par conduction.

ROHM Semiconductor IGBT à tranchée et arrêt de champ pour l'automobile RGA50TxX2HR

10/22/2026

- Ces composants présentent de faibles pertes de commutation et de faibles pertes par conduction.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07/21/2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04/10/2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03/17/2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

11/18/2025

- Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

11/18/2025

- Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10/17/2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10/16/2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08/21/2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08/21/2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08/19/2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08/19/2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08/19/2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

08/06/2025

- Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

08/06/2025

- Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 Transistor de puissance NPN 1,5 A 160 V

08/06/2025

- Un transistor de puissance avec un faible VCE(sat) et convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RQ3P270BLFRA

08/04/2025

- MOSFET de qualité automobile conforme à la norme AEC-Q101 et proposé dans un boîtier HSMT8AG.

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ROHM Semiconductor MOSFET de puissance canal N RS4P063BPHZG à large SOA

10/23/2026

- Présente une zone de fonctionnement sécurisée étendue qui aide à supprimer la panne secondaire.

ROHM Semiconductor IGBT à tranchée et arrêt de champ pour l'automobile RGA50TxX2HR

10/22/2026

- Ces composants présentent de faibles pertes de commutation et de faibles pertes par conduction.

ROHM Semiconductor IGBT à tranchée et arrêt de champ pourl'automobile RGA50TxX2EHR

10/22/2026

- Ces composants présentent de faibles pertes de commutation et de faibles pertes par conduction.

Diodes Incorporated Transistor à effet de champ à canal N en mode enrichissement DMN2005K

10/19/2026

- Faible résistance à l'état passant, très faible tension de seuil de grille et commutation rapide.

Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10/14/2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10/06/2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09/16/2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09/09/2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

Microchip Technology Modules d’alimentation HV-D3 mSiC®

09/01/2026

- Simplifient et accélèrent l’adoption des transformateurs à semi-conducteurs dans les centres de données et autres applications d’alimentation haute tension.

onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

08/25/2026

- Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2

08/25/2026

- Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.

STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S

08/19/2026

- Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

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