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Rectron Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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Rectron MMBD120x 100V Small Signal Diodes

03/01/2024

- Fast switching devices with 4ns maximum reverse recovery time available in a SOT-23 package.

Rectron RM3134 Dual N-Channel MOSFET

10/10/2022

- Lead-free product housed in a surface mount package.

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

10/10/2022

- Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

10/10/2022

- Uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON).

Rectron RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

09/21/2022

- Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

Rectron RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

09/21/2022

- Features advanced Trench technology and design to provide excellent RDS(ON) and a low gate charge.

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Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08/14/2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08/14/2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08/14/2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V

08/12/2026

- Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1

08/04/2026

- Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07/21/2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07/07/2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA

06/26/2026

- Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.

Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06/19/2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

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