Infineon Technologies transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx
Les transistors à haute mobilité d’électrons (e-HEMT) à mode d’amélioration GS665xx Infineon Technologies disposent d’un courant élevé, d’une rupture de tension élevée et d’une fréquence de commutation élevée. Ces transistors de puissance comprennent une disposition de cellule Island Technology avec une puce à courant élevé et un rendement élevé, tandis que le petit boîtier GaNPX® permet une faible inductance et une faible résistance thermique. Ces transistors de puissance offrent une très faible résistance thermique jonction-boîtier pour les applications à haute puissance. Les transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx sont disponibles en transistors refroidis côté inférieur ou côté supérieur. Ces transistors de puissance fournissent une puce FOM ultra-faible, une capacité de courant inverse et une perte de récupération inverse nulle.
Les transistors de puissance au silicium à enrichissement GS665xx fonctionnent sur une plage de température de fonctionnement de -55 °C à +150 °C. Ils offrent une fréquence de commutation élevée > 10 MHz et une tension drain-source transitoire de 750 V. Les applications standard comprennent les convertisseurs CA-CC, les convertisseurs CC-CC, les alimentations sans interruption, les entraînements de moteurs industriels, les entraînements de moteurs d’appareils électroménagers, le chargement rapide de la batterie, les adaptateurs d’alimentation et le transfert de puissance sans fil.
Caractéristiques
- configuration refroidie côté haut et bas
- Matrice à ultra faible FOM Island Technology®
- Temps de descente et de montée rapides et contrôlables
- capacité de courant inverse
- Perte de récupération inverse nulle
- conforme à la directive RoHS3 (6 + 4)
- boîtier à faible inductance
Caractéristiques techniques
- Fréquence de commutation >10 MHz
- Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 150 °C
- plage de tension de commande de grille simple 0 V à 6 V
- transistor de puissance à mode d’amélioration 650 V
- tension drain-source transitoire 750 V
- tension de pilote de grille tolérante aux transitoires -20V/10V
Applications
- Convertisseurs CA-CC
- Convertisseurs CC-CC
- Systèmes d’alimentation sans interruption
- Entraînements à moteur industriels
- Entraînements de moteurs d’appareils électroménagers
- Recharge rapide de la batterie
- Amplificateurs audio classe D
- Adaptateurs d'alimentation
- Transfert de puissance sans fil
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Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor
Designed for very low junction-to-case thermal resistance for demanding high-power applications.
Publié le: 2020-08-26
| Mis à jour le: 2024-09-04