Infineon Technologies Amplificateurs à faible bruit 4G/5G
Les amplificateurs à faible bruit 4G/5G d'Infineon Technologies sont conçus pour le LTE et la 5G, couvrant une large gamme de fréquences. L'étape de gain des amplificateurs à faible bruit 4G/5G présente le gain et la linéarité qui peuvent s'ajuster pour augmenter la plage dynamique du système et s'adapter aux évolutions des scénarios d'interférence.
Les amplificateurs à faible bruit 4G/5G d'Infineon Technologies prennent en charge un courant de dérivation ultra-faible de 2 µA et une tension de fonctionnement de 1,2 V pour réduire la consommation d'énergie. Ils fonctionnent à partir d'une tension d'alimentation de 1,1 V à 2 V sur leur plage de température de fonctionnement.
Les amplificateurs sont logés dans un boîtier TSNP-9 compact à neuf broches de 1,1 mm x 1,1 mm, économisant de l'espace sur la carte PCB.
Caractéristiques
- Grande linéarité
- Meilleur facteur de bruit de sa catégorie
- Faible consommation électrique
- Tension d'alimentation de 1,5 V à 3,3 V
- Ultra petit
- LNA simple : boîtier TSNP-6-2 sans fil (encombrement : 1,1 mm x 0,7 mm2)
- Berceaux de LNA quadruples : boîtier TSLP-12-4 sans fil (encombrement : 1,1 x 1,9 mm2)
- Technologie de carbone au silicium germanium (SiGe : C) B7HF
- Sortie à correspondance interne de 50 Ω
- Faible nombre de composants externes
- Protection ESD 2 kV HBM
- Boîtier sans plomb (conforme à la directive RoHS)
Applications
- Smartphones
- Tablettes
- Cartes de données
- Communication M2M
Diagramme
Temps MIPI à RF
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Fréquence de fonctionnement | P1dB - Point de compression |
|---|---|---|---|
| BGA9H1MN9E6329XTSA1 |  |
1.4 GHz to 2.7 GHz | - 17 dBm |
| BGM787U50E6327XUMA1 | |
600 MHz to 2.7 GHz | |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 | |
2.3 GHz to 2.7 GHz | - 17 dBm |
| BGA9C1MN9E6327XTSA1 | |
4.4 GHz to 5 GHz | - 19 dBm |
| BGA9V1MN9E6327XTSA1 | |
3.3 GHz to 4.2 GHz | - 18 dBm |
Publié le: 2021-04-13
| Mis à jour le: 2025-07-29