Infineon Technologies HEMT GIT 600 V CoolGaN ™
Les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) et technologie d'injection de grille (GIT) 600 V CoolGaN™ d'Infineon Technologies offrent des vitesses d'allumage et d'arrêt rapides à des pertes de commutation minimales. Ces transistors de puissance en mode d'amélioration GaN sont disponibles dans un boîtier ThinPAK 5x6 à montage en surface idéal pour les applications qui nécessitent un dispositif compact sans dissipateur thermique. La petite taille de 5 mm x 6 mm2 et le profil mince de 1 mm rendent les HEMT GIT CoolGaN™ 600 V d'Infineon Technologies parfaits pour atteindre une densité de haute puissance.
Caractéristiques
- Transistor à mode amélioré, commutateur normalement éteint
- HEMT GaN dans un boîtier CMS sans plomb à petit facteur de forme
- Qualification adaptée au GaN
- Commutation ultra-rapide
- Aucune charge de récupération inverse
- Capable de conduction inverse
- Faible charge de grille, faible charge de sortie
- Robustesse de commutation supérieure
- Améliore l'efficacité du système
- Améliore la densité de puissance
- Permet des fréquences de fonctionnement plus élevées
- Réduction des coûts système
- Réduit les EMI
- Qualifié pour les applications industrielles conformément aux normes JEDEC (JESD47 et JESD22)
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- SMPS pour centres de données, industriels et télécoms basés sur la topologie demi-pont (topologies à demi-pont pour commutation dure et douce telles que PFC Totem pole, LLC haute fréquence)
- SMPS à faible puissance
- Chargeurs et adaptateurs
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source continue maximale de 600 V
- Tension de rupture drain-source destructrice minimale de 800 V
- Tension drain-source pulsée
- 750 V maximum à +25 °C
- 650 V maximum à +125 °C
- Surtension de commutation pulsée maximale 750 V
- Plage de courant continu drain-source maximal de 8,2 A à 12,8 A
- Plage de courant pulsé drain-source maximal de 12,2 A à 23 A
- Plage de courant pulsé drain-source maximal de 5,9 A à 11 A
- Plage de courant de grille continu maximal de 4 mA à 7,7 mA
- Plage de courant de grille pulsé maximal de 406 mA à 770 mA
- Tension grille-source continue minimale de -10 V
- Tension grille-source pulsée minimale de -25 V
- Plage de puissance dissipable admissible de 41,6 W à 55,5 W
- Taux de dérive drain-source maximal de 200 V/ns
- Plage de température de fonctionnement : de -40 °C à +150 °C
HEMT associés
Infineon Technologies HEMT au nitrure de gallium CoolGaN™
Offre d'excellents avantages en matière de rendement, de fiabilité, de densité de puissance et de qualité.
Infineon Technologies Étages de puissance intégrés 25 V CoolGaN™
Combine un étage de puissance à demi-pont avec 2 HEMT CoolGaN à mode d'amélioration, dans un petit boîtier QFN-28.
Publié le: 2023-02-13
| Mis à jour le: 2023-09-08