Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
Les transistors G5 CoolGaN™ de 650 V d’Infineon Technologies présentent une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie. La famille G5 de 650 V répond aux défis des applications industrielles, solaires, grand public et des centres de données. Les transistors offrent une efficacité et une densité de puissance améliorées du système avec une capacité de commutation ultra-rapide. La technologie CoolGaN fournit des solutions discrètes et intégrées conçues pour améliorer les performances globales du système. Les transistors G5 CoolGaN de 650 V d’Infineon Technologies permettent des fréquences de fonctionnement élevées et réduisent les valeurs EMI. Les transistors sont idéaux pour la distribution d’énergie, les alimentations électriques à découpage (SMPS), les télécommunications et d’autres applications industrielles.Caractéristiques
- Transistor GaN de 650 V
- Processus de fonderie interne haute performance de 20,30 cm
- Mode d’amélioration (e-mode)
- Étages de puissance intégrés
- Retard de commutation ultra-rapide
- Aucune charge de récupération inverse
- Capacité de conduction inverse
- Faible charge de grille et de sortie
- Robustesse de commutation supérieure
- La technologie de transistor normalement coupé assure une exploitation sûre
- Permet un contrôle rapide et précis de la fourniture d’énergie
- Améliore l’efficacité et la fiabilité du système
- Assure des performances robustes dans des conditions difficiles
- Norme JEDEC DES
- Protection DES HBM de 2 kV
- Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Électronique grand public
- Centres de données
- Industrie
- Adaptateurs/chargeurs USB-C
- Distribution de l’énergie
- Serveurs
- Télécommunications
- Systèmes de stockage d’énergie/solaire
- SMPS
Schéma du circuit d’application
Infographie
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source | Qg - Charge de grille |
|---|---|---|---|---|
| IGI65D1414A3MSXUMA1 | ![]() |
170 mOhms | 1.8 nC | |
| IGL65R055D2XUMA1 | ![]() |
22 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGL65R080D2XUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 25 nC |
| IGL65R110D2XUMA1 | ![]() |
16 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGL65R140D2XUMA1 | ![]() |
13 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGLD65R055D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGLD65R080D2AUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 3.3 nC |
| IGLD65R110D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGLD65R140D2AUMA1 | ![]() |
12 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGT65R025D2ATMA1 | ![]() |
70 A | 30 mOhms | 11 nC |
Publié le: 2024-08-02
| Mis à jour le: 2025-09-26

