Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Les transistors G5 CoolGaN™ de 650 V d’Infineon Technologies présentent une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie. La famille G5 de 650 V répond aux défis des applications industrielles, solaires, grand public et des centres de données. Les transistors offrent une efficacité et une densité de puissance améliorées du système avec une capacité de commutation ultra-rapide. La technologie CoolGaN fournit des solutions discrètes et intégrées conçues pour améliorer les performances globales du système. Les transistors G5 CoolGaN de 650 V d’Infineon Technologies permettent des fréquences de fonctionnement élevées et réduisent les valeurs EMI. Les transistors sont idéaux pour la distribution d’énergie, les alimentations électriques à découpage (SMPS), les télécommunications et d’autres applications industrielles.

Caractéristiques

  • Transistor GaN de 650 V
  • Processus de fonderie interne haute performance de 20,30 cm
  • Mode d’amélioration (e-mode)
  • Étages de puissance intégrés
  • Retard de commutation ultra-rapide
  • Aucune charge de récupération inverse
  • Capacité de conduction inverse
  • Faible charge de grille et de sortie
  • Robustesse de commutation supérieure
  • La technologie de transistor normalement coupé assure une exploitation sûre
  • Permet un contrôle rapide et précis de la fourniture d’énergie
  • Améliore l’efficacité et la fiabilité du système
  • Assure des performances robustes dans des conditions difficiles
  • Norme JEDEC DES
  • Protection DES HBM de 2 kV
  • Sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS

Applications

  • Électronique grand public
  • Centres de données
  • Industrie
  • Adaptateurs/chargeurs USB-C
  • Distribution de l’énergie
  • Serveurs
  • Télécommunications
  • Systèmes de stockage d’énergie/solaire
  • SMPS

Schéma du circuit d’application

Schéma du circuit d'application - Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V

Infographie

Infographie - Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
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Numéro de pièce Fiche technique Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Qg - Charge de grille
IGI65D1414A3MSXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1 Fiche technique 170 mOhms 1.8 nC
IGL65R055D2XUMA1 IGL65R055D2XUMA1 Fiche technique 22 A 70 mOhms 4.7 nC
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Fiche technique 18 A 100 mOhms 25 nC
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Fiche technique 16 A 140 mOhms 2.4 nC
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 Fiche technique 13 A 170 mOhms 1.8 nC
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 Fiche technique 20 A 70 mOhms 4.7 nC
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 Fiche technique 18 A 100 mOhms 3.3 nC
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 Fiche technique 20 A 140 mOhms 2.4 nC
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 Fiche technique 12 A 170 mOhms 1.8 nC
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 Fiche technique 70 A 30 mOhms 11 nC
Publié le: 2024-08-02 | Mis à jour le: 2025-09-26