Infineon Technologies Modules CoolSiC™ M1H 1200 V

Lorsque des semi-conducteurs au carbure de silicium (SiC) sont utilisés comme commutateurs, l’efficacité globale du système est améliorée en permettant des températures de fonctionnement et des fréquences de commutation plus élevées tout en maintenant une haute fiabilité. La famille de modules MOSFET SiC 1 200 V d’Infineon offre une fiabilité supérieure de l’oxyde de grille, rendue possible par une conception de tranchée à la pointe de la technologie.

Ces modules d’alimentation sont conditionnés dans des boîtiers EASY de norme industrielle qui peuvent être adaptés à différents besoins d’application et sont disponibles dans une large gamme de niveaux R_DSonet des configurations en demi-pont, pont complet et six packs (triphasés). Tous les modules d’alimentation MOSFET EasyPACK™ et EasyDUAL™ peuvent être commandés avec un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué, et des fonctionnalités supplémentaires sont proposées. Les modules Easy dotés d’une céramique en nitrure d’aluminium (AlN) haute performance améliorent particulièrement la performance thermique du R_thJH.

Les avantages des semiconducteurs à large bande interdite en carbure de silicium (SiC) se distinguent par un champ électrique de rupture plus élevé, une conductivité thermique plus importante, une vitesse de saturation des électrons plus élevée et une concentration intrinsèque de porteurs plus faible par rapport au silicium (Si). Basés sur ces avantages de matériaux SiC, les MOSFET SiC engagent des transistors de commutation pour les applications à haute puissance, telles que les onduleurs solaires pour les chargeurs de véhicules électriques (EV) embarqués ou non.

Avantages

        • Fonctionnement à des fréquences plus élevées
• Augmentation de la densité de puissance
• Efficacité maximale pour un effort de refroidissement réduit
• Réduction des coûts du système et d’exploitation
• Conditions de fonctionnement étendues et capacité de commutation de puissance accrue