Infineon Technologies IGBT TRENCHSTOP™ 5
Les IGBT TRENCHSTOP™5 Infineon sont la prochaine génération d'IGBT à couche mince (transistor bipolaire à porte isolée) et offrent des pertes conduction et de commutation considérablement réduites par rapport aux solutions leaders du marché. Aucun IGBT du marché n'égale les performances du TRENCHSTOP™5. Ces IGBT sont conçus pour les applications où la fréquence de commutation dépasse >10 kHz. L'épaisseur de couche a été réduite de plus de 25 %, ce qui permet une amélioration exceptionnelle en termes de pertes de commutation et conduction, tout en offrant une tension de perçage de 650 V. Ce pas de géant en termes d'efficacité permet de repousser les limites auxquelles les concepteurs étaient exposés auparavant.
Caractéristiques
- 650V breakthrough voltage
- Compared to 'HighSpeed 3' family:
- Factor 2.5 lower Qg
- Factor 2 reduction in switching losses
- 200mV reduction in VCE(sat)
- Co-packed with Infineon Technologies’s new 'Rapid' Si-diode technology
- Low Coss/Eoss
- Mild positive temperature coefficient VCE(sat)
- 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
- Temperature stability of VF
- Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
- Higher power density designs
Applications
- PFC + PWM topologies in:
- Welding
- UPS
- Solar
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