Infineon Technologies MOSFET de puissance HEXFET® IRF540N/Z Advanced
Les MOSFET de puissance HEXFET® IRF540N/Z Advanced d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement de pointe pour atteindre une résistance par surface de silicium en fonctionnement extrêmement faible. Cet avantage, associé à une vitesse de commutation élevée, une structure endurcie et une température de jonction en fonctionnement de 175 °C qui font la renommée des MOSFET de puissance HEXFET, donne au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable à utiliser dans une large variété d'applications.
Caractéristiques
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Lead-free
Applications
- AC-DC
- Appliances
- Audio
- Industrial
- Lighting
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| Numéro de pièce | Fiche technique | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source | Pd - Dissipation d’énergie |
|---|---|---|---|---|
| IRF540NSTRLPBF |  |
33 A | 44 mOhms | 3.8 W |
| IRF540ZPBF | |
36 A | 26.5 mOhms | 92 W |
| IRL540NSTRLPBF | |
36 A | 63 mOhms | 3.8 W |
| IPI086N10N3 G | |
80 A | 8.2 mOhms | 125 W |
Publié le: 2014-08-07
| Mis à jour le: 2022-03-11