IXYS Pilotes de grille pour transistors MOSFET et IGBT à canal N

Les pilotes de grille IXYS pour MOSFET et IGBT à canal N comprennent des pilotes de grille haute tension ultra-rapides et des CI de pilotage de grille triphasés. Ces composants sont conçus pour piloter deux MOSFET ou IGBT à canal N montés en demi-pont ou de façon à former des circuits côté haut/côté bas. Leur technologie haute tension permet au côté haut de monter jusqu'à 600 V en mode amorçage. Ces pilotes disposent de tampons pour courants d'impulsion élevés conçus pour réduire au minimum la conduction transversale du pilote. Leurs autres caractéristiques incluent des entrées logiques en 3,3 V, des entrées logiques déclenchées Schmitt et une protection contre les sous-tensions (UVLO). Les commandes de grilles IXYS pour MOSFET et IGBT à canal N fonctionnent sur une plage de température étendue de -40 °C à +125 °C.