Retour à IXYS

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

Les MOSFET de puissance  X4-Class d'IXYS offrent une faible résistance à l'état passant et de faibles pertes de conduction, avec une efficacité améliorée. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un boîtier PLUS, permettant un courant nominal plus élevé et une densité de puissance accrue. Les MOSFET de puissance X4-Class sont compatibles broche à broche avec le boîtier standard TO-247 et sont faciles à mettre à niveau à partir des conceptions existantes pour une puissance de sortie plus élevée. Ces MOSFET de puissance présentent une faible charge de grille et une faible résistance thermique. Les applications typiques comprennent les commutateurs de charge CC, la protection des batteries, les joints toriques de batterie, les systèmes de stockage d'énergie par batterie et les convertisseurs Buck-Boost CC/CC.

Caractéristiques

  • Faible résistance à l'état passant
  • Courant nominal élevé
  • Charge de grille ultra-faible
  • Résistance thermique basse
  • Faible perte de conduction et efficacité améliorée
  • Effort de connexion parallèle minimisé avec réduction du nombre de pièces
  • Conception de pilote simplifiée
  • Conception thermique simplifiée
  • Mode d'amélioration du canal N
  • Classé avalanche
  • Boîtier PLUS permettant un courant nominal plus élevé et une densité de puissance accrue
  • Compatibilité des broches avec le boîtier standard TO-264
  • Mise à niveau facile des conceptions existantes pour une puissance de sortie plus élevée

Applications

  • Commutateur de charge CC
  • Protection de la batterie
  • Circuits OR-ing pour batteries
  • Systèmes de stockage d'énergie sur batterie
  • Convertisseurs Buck-Boost CC/CC

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-source 200 V dans la plage 25 °C à 175 °C
  • Tension grille-source
    • ±20 V continu
    • ±30 V transitoire
  • Courant RMS de borne de 160 A
  • Courant de drain  :
  • Plage de température de stockage de -55 °C à 175 °C

Schéma de brochage

Schéma du circuit d'application - IXYS MOSFET de puissance X4-Class

Fiches techniques

MOSFET associé

IXYS Ultra Junction MOSFETs

Feature low RDS(on) and low Qg in low inductance industry standard packages.

Learn Moreà propos de IXYS Ultra Junction MOSFETs View Productslié à IXYS Ultra Junction MOSFETs
View Results ( 2 ) Page
Numéro de pièce Temps de descente Pd - Dissipation d’énergie Qg - Charge de grille Rds On - Résistance drain-source Temps de montée Délai de désactivation type Délai d'activation standard
IXTB500N20X4 485 ns 1.56 kW 535 nC 2.65 mOhms 560 ns 600 ns 200 ns
IXTX400N20X4 370 ns 1.36 kW 348 nC 3.3 mOhms 480 ns 430 ns 150 ns
Publié le: 2025-12-26 | Mis à jour le: 2026-02-02