Microsemi / Microchip Modules de puissance MOSFET SiC à branche de phase AgileSwitch®
Les modules de puissance MOSFET SiC (carbure de silicium) à branche de phase AgileStrip® de Microsemi / Microchip sont construits avec des MOSFET SiC et des diodes SiC et combinent les avantages des deux composants. Ces modules de puissance disposent d’un boîtier SP6LI à inductance extrêmement faible avec une inductance parasite maximale de 3 nH. Ces modules de puissance SP6LI sont proposés en variantes 1 200 V et 1 700 V avec une température de boîtier (Tc) de +80 °C. Offrant une densité de puissance plus élevée et un format compact, le boîtier SP6LI permet une plus faible quantité de modules en parallèle pour atteindre des systèmes complets, aidant les concepteurs à réduire davantage leur équipement.
Caractéristiques
- MOSFET de puissance SiC
- Faible RDS(on)
- Performances à haute température
- Diode Schottky SiC
- Récupération inverse nulle
- Récupération directe nulle
- Comportement de commutation indépendant de la température
- Coefficient de température positif sur VF
- Source Kelvin pour un pilotage facile
- Inductance parasite très faible
- Connecteurs d'alimentation M5
- Thermistance interne pour le contrôle de la température
- Substrat en AlN pour une meilleure performance thermique
- Haute fréquence de commutation
- Rendement élevé
- Boîtier SP6LI
Applications
- Groupe motopropulseur des véhicules électriques/hybrides (EV/HEV) et systèmes de récupération d'énergie cinétique (KERS)
- Systèmes d'actionnement des aéronefs
- Systèmes d'alimentation électrique
- Sources d’alimentation en mode commutable
- Chauffage par induction
- Alimentations électriques pour secteur médical
- Convertisseurs photovoltaïques (PV)/solaires/éoliens
- Alimentation sans interruption (ASI)
Documents
- Fiches techniques
- Note d'application
- Catalogue
Vidéos
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Profil du boîtier
Publié le: 2020-04-14
| Mis à jour le: 2024-07-24