Analog Devices Inc. Commutateurs réfléchissants SPDT en silicium ADRF5142
Les commutateurs réfléchissants SPDT en silicium ADRF5142 d'Analog Devices sont des commutateurs réfléchissants unipolaires bidirectionnels (SPDT) fabriqués en silicium. L'ADIADRF5142 fonctionne de 8 GHz à 11 GHz avec une perte d’insertion standard de 1,2 dB et une isolation standard de 40 dB. Le composant dispose d'une capacité de traitement de puissance d’entrée RF de 41 dBm en moyenne et de 46 dBm en crête pour la perte d’insertion. L'ADRF5142 consomme un faible courant de 130μA sur l’alimentation positive de +3,3 V et 500μA sur l’alimentation négative de -3,3 V. Ce composant utilise des contrôles complémentaires compatibles CMOS (semi-conducteur à oxyde métallique) et logique transistor-transistor à faible consommation (LVTTL). L'ADRF5142 ne nécessite aucun circuit de pilote supplémentaire, ce qui en fait une excellente alternative aux commutateurs GaN et à base de diodes PIN.
L'ADRF5142 est logé dans un boîtier LGA (Land Grid Array) à 20 fils, 3,0 mm x 3,0 mm conforme à la directive RoHS, avec une tension de fonctionnement de -40 °C à +85 °C.
Caractéristiques
- Plage de fréquence de 8 GHz à 11 GHz
- Grande linéarité d’entrée
- Compression de puissance 0,1 dB (P0,1 dB) à 46 dBm
- Interception de troisième ordre (IP3) de 70 dBm
- Gestion de haute puissance à TCASE = 85 °C :
- Chemin d’affaiblissement d’insertion
- Moyenne de 41 dBm
- Largeur d’impulsion pulsée de 44 dBm (>100 ns à un rapport cyclique de 15 %)
- Crête de 46 dBm (durée de crête inférieure ou égale à 100 ns à un rapport cyclique de 5 %)
- Commutation à chaud à RFC (broche 3) de 41 dBm
- Chemin d’affaiblissement d’insertion
- Faible perte d’insertion de 1,2 dB (standard)
- Isolation élevée de 40 dB (standard)
- Temps de commutation rapide à 60 ns
- Temps de stabilisation RF 0,1 dB à 65 ns
- Absence de parasites basse fréquence
- Interface de contrôle positif : compatible CMOS/LVTTL
- Boîtier LGA à 20 fils, 3,0 mm x 3,0 mm
- Broche compatible avec ADRF5141 et ADRF5144
Applications
- Radars et communications en bande X
- Guerre électronique
- Communications satellitaires
- Remplacement de diodes PIN et nitrure de gallium (GaN)
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SCHÉMA FONCTIONNEL
Publié le: 2024-07-29
| Mis à jour le: 2024-08-05