Analog Devices Inc. ADRF5162 commutateur réfléchissant SPDT au silicium haute puissance
Le commutateur réflectif unipolaire bidirectionnel (SPDT) en silicium haute puissance ADRF5162 d'Analog Devices est un commutateur réfléchissant fabriqué selon le procédé au silicium. L'ADRF5162 fonctionne de 0,4 GHz à 8 GHz avec une perte d’insertion standard de 0,6 dB et une isolation standard de 45 dB. Le composant offre une capacité de traitement de puissance d’entrée à radiofréquence (RF) de puissance moyenne de 45,5 dBm et de puissance de crête de 50 dBm pour le chemin de perte d’insertion.
L'ADRF5162 d’Analog Devices consomme un faible courant de 130 μA sur l’alimentation positive de +3,3 V et 500 μA sur l’alimentation négative de -3,3 V. Le dispositif utilise des commandes compatibles LVTTL (semi-conducteur complémentaire à oxyde métallique) -/basse tension (CMOS). L'ADRF5162 ne nécessite aucun circuit de commande supplémentaire, ce qui en fait une alternative idéale aux commutateurs basés sur des diodes PIN et GaN.
L'ADRF5162 est fourni en boîtier LFCSP (puce à cadre plombé) 24 fils, 4,0 mm × 4,0 mm, conforme à la directive RoHS et fonctionne de -40 °C à +105 °C.
Caractéristiques
- Plage de fréquence : 0,4 GHz à 8 GHz
- Faible perte d’insertion standard de 0,6 dB à 4 GHz
- Isolation standard élevée de 45 dB à 4 GHz
- Grande linéarité d'entrée
- Compression de puissance 0,1 dB (P0,1 dB) : 50 dBm
- Interception de troisième ordre (IP3) >76 dBm
- Temps de stabilisation RF 1,2 μs/0,1 dB avec broche ≤ 43 dBm
- Pas d'effets parasites à basse fréquence
- Interface compatible CMOS/LVTTL à contrôle positif
- Plage de température de fonctionnement de -40 °C à +105 °C
- Gestion de puissance élevée à TCASE = +85 °C
- Chemin de perte d’insertion
- Moyenne de 45,5 dBm
- 48,5 dBm pulsés (largeur d’impulsion >100 ns, cycle de service 15 %)
- 50 dBm en crête (durée de crête < 100="" ns,="" rapport="" cyclique="" 5="">
- Commutation à chaud 43 dBm à RFC
- Chemin de perte d’insertion
- Boîtier 24 fils LFCSP de 4,0 mm, × 4,0 mm
- Conforme à la directive RoHS
Applications
- Radios militaires, radars et contre-mesures électroniques
- Infrastructures cellulaires
- Test et instrumentation
- Remplacement de diode GaN et PIN
Schéma fonctionnel
Publié le: 2024-08-30
| Mis à jour le: 2025-01-28