Bourns Transistors bipolaires à grille isolée modèle BID

Les transistors bipolaires (IGBT) à grille isolée de modèle BID de Bourns combinent la technologie d'une grille MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour les applications à courant élevé/tension élevée. Les IGBT de modèle BID utilisent une technologie avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée pour fournir un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui entraîne une tension de saturation collecteur-émetteur plus faible et moins de pertes de commutation. Les IGBT disposent d’une plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C et sont disponibles en boîtiers TO-252, TO-247 et TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique plus faible, ce qui en fait des solutions IGBT adaptées aux alimentations électrique à découpage (SMPS), aux sources d'alimentation électriques sans interruption (UPS) et aux applications de correction du facteur de puissance (PFC).