Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ

Le MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ de Diodes Incorporated est un MOSFET homologué AEC-Q101 à faible résistance RDS (ON) qui garantit des pertes minimales à l’état passant. Ce MOSFET dispose d’un excellent produit QGD ×RDS (ON) (FOM) et d’un flanc mouillable pour une inspection optique améliorée. Le MOSFET DMTH46M7SFVWQ est compatibleavec le processus d'approbation de pièces de production (PHPP) , conforme à la directive RoHS et sans plomb. Les applications standard comprennent les commandes de moteur, les fonctions de gestion d'alimentation et les convertisseurs CC-CC.

Caractéristiques

  • Classifié 175 °C, idéal pour les environnements à température ambiante élevée
  • Excellent produit QGD × RDS (ON) (FOM)
  • Faible RDS (ON) assurant que les pertes à l’état passant sont minimisées
  • Le test de commutation inductive non limitée (UIS) à 100% en production garantit une application finale plus fiable et plus robuste
  • Homologué AEC-Q101
  • Flanc mouillable pour de meilleures inspections visuelles
  • Sans plomb
  • Conforme à la directive RoHS
  • Sans halogène ni antimoine

Caractéristiques techniques

  • Tension drain-sourceDSS 40 V
  • Tension grille-sourceGSS ±20 V
  • Courant de drain pulsé 260 A
  • Courant direct de diode de corps continu maximal de 65 A
  • Plage de température de fonctionnement de -55 °C à 175 °C
  • Boîtier PowerDI®3333-8
  • Classification d'inflammabilité UL 94V-0
  • Poids de 0,072 grammes

Applications

  • Commandes de moteur
  • Fonctions de gestion de l'alimentation
  • Convertisseurs CC-CC

Dimensions

Plan mécanique - Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMTH46M7SFVWQ
Publié le: 2022-12-25 | Mis à jour le: 2024-03-06